2N7002LT1G एन-चैनल 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA, 10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs RoHS

संक्षिप्त वर्णन:

Mfr.Part: 2N7002LT1G
निर्माता: सेमीकंडक्टर पर
पैकेज: एसओटी-23(एसओटी-23-3)
विवरण: MOSFET 60V 115mA एन-चैनल
डेटाशीट: कृपया हमसे संपर्क करें।

हमें ईमेल भेजें

वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

उत्पाद पैरामीटर

गुण	कीमत
निर्माता:	सेमीकंडक्टर पर
उत्पाद श्रेणी:	MOSFET
आरओएचएस:	विवरण
तकनीकी:	Si
बढ़ते शैली:	एसएमडी / श्रीमती
पैकेज / मामला:	एसओटी-23-3
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता:	n- चैनल
चैनलों की संख्या:	1 चैनल
Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज:	60 वी
आईडी - सतत नाली वर्तमान:	115 एमए
आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस:	7.5 ओम
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज:	- 20 वी, + 20 वी
वीजीएस वें - गेट-स्रोत थ्रेशोल्ड वोल्टेज:	1 वि
न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान:	- 55 सी
अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान:	+ 150 सी
पीडी - पावर अपव्यय:	300 मेगावाट
चैनल मोड:	वृद्धि
पैकेजिंग:	कट टेप
पैकेजिंग:	माउस रील
पैकेजिंग:	रील
विन्यास:	अकेला
ऊंचाई:	0.94 मिमी
लंबाई:	2.9 मिमी
उत्पाद:	MOSFET छोटा सिग्नल
शृंखला:	2N7002L
ट्रांजिस्टर प्रकार:	1 एन-चैनल
प्रकार:	MOSFET
चौड़ाई:	1.3 मिमी
ब्रैंड:	सेमीकंडक्टर पर
फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्शन - न्यूनतम:	80 एमएस
उत्पाद का प्रकार:	MOSFET
फैक्टरी पैक मात्रा:	3000
उपश्रेणी:	MOSFETs
विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय:	40 एनएस
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय:	20 एनएस
इकाई का वज़न:	0.000282 आउंस